01.03.2007 в 13:02 comment

Samsung первой начала производство DRAM по технологии 60 нм

author avatar
https://secure.gravatar.com/avatar/2f8d57cddfeb455ba418faa11ee01bb0?s=96&r=g&d=https://itc.ua/wp-content/uploads/2023/06/no-avatar.png *** https://secure.gravatar.com/avatar/2f8d57cddfeb455ba418faa11ee01bb0?s=96&r=g&d=https://itc.ua/wp-content/uploads/2023/06/no-avatar.png *** https://itc.ua/wp-content/themes/ITC_6.0/images/no-avatar.svg

ITC.UA

автор

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового выпуска чипов DDR2 DRAM емкостью 1 Gb с уровнем детализации 60 нм.

Как отмечают представители компании, переход на новую технологию в коммерческим масштабах это весьма важное этапное достижение, поскольку объем производства микросхем увеличивается на 40% по сравнению с внедренным в прошлом году 80-нанометровым техпроцессом и почти вдвое — по сравнению с 90-нанометровым.

Samsung также заявила, что новые гигабитные чипы будут использоваться в модулях DRAM емкостью 512 MB, 1 GB и 2 GB с производительностью 667 или 800 Mbps.

Компания прогнозирует, что чипы 1 Gb вскоре станут массовыми и вытеснят устройства 512 Mb, которые сегодня превалируют на рынке.

Также отмечается, что 60-нанометровый процесс станет основным у компаний-производителей в этом сегменте лишь в 2008 г. Доходы от продаж DRAM, произведенной по этой технологии в нынешнем году оцениваются в 2,3 млрд. долл., а уже к 2009 г. достигнут 32 млрд. долл.

Продолжается конкурс авторов ИТС. Напиши статью о развитии игр, гейминг и игровые девайсы и выигрывай профессиональный игровой руль Logitech G923 Racing Wheel, или одну из низкопрофильных игровых клавиатур Logitech G815 LIGHTSYNC RGB Mechanical Gaming Keyboard!


Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: