Samsung первой начала производство DRAM по технологии 60 нм

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового выпуска чипов DDR2 DRAM емкостью 1 Gb с уровнем детализации 60 нм.

Как отмечают представители компании, переход на новую технологию в коммерческим масштабах это весьма важное этапное достижение, поскольку объем производства микросхем увеличивается на 40% по сравнению с внедренным в прошлом году 80-нанометровым техпроцессом и почти вдвое — по сравнению с 90-нанометровым.

Samsung также заявила, что новые гигабитные чипы будут использоваться в модулях DRAM емкостью 512 MB, 1 GB и 2 GB с производительностью 667 или 800 Mbps.

Компания прогнозирует, что чипы 1 Gb вскоре станут массовыми и вытеснят устройства 512 Mb, которые сегодня превалируют на рынке.

Также отмечается, что 60-нанометровый процесс станет основным у компаний-производителей в этом сегменте лишь в 2008 г. Доходы от продаж DRAM, произведенной по этой технологии в нынешнем году оцениваются в 2,3 млрд. долл., а уже к 2009 г. достигнут 32 млрд. долл.