Системы на базе DDR SDRAM: особенности настройки

Появление любой новой платформы всегда сопровождается стремительным ростом количества предложений комплектующих для нее и, соответственно, увеличением интереса пользователей к их параметрам. Этот небольшой материал посвящен одной из наиболее динамично развивающихся платформ — x86-системам с DDR SDRAM, а точнее — используемой в них памяти.

Наиболее удобной отправной точкой для обсуждения особенностей функционирования модулей DDR SDRAM в компьютерах нам показались основные настройки памяти, присутствующие практически в любой BIOS соответствующих материнских плат, — SDRAM Frequency, CAS Latency и Bank Interleave. На примере этих настроек мы и рассмотрим отличия существующих модулей и влияние их параметров на функциональность системы.

SDRAM Frequency. Для DDR-плат этот параметр может принимать значения 100 или 133 MHz, что соответствует стандартам DDR-модулей PC1600 и PC2100. Однако мало того, что цифры в названиях спецификаций не соответствуют частоте, так еще и производители добавляют тумана, маркируя иногда свои модули как DDR 200 MHz или DDR 266 MHz. На самом деле все очень просто: "DDR 266 MHz" обозначает память, работающую на 133 MHz, но имеющую вдвое большую пропускную способность, что позволяет указывать цифру 266. Таким образом, DDR 266 — это просто-напросто нестандартное наименование PC2100, а DDR 200 — соответственно PC1600.

CAS Latency. Этот параметр у DDR-систем также немного изменился. Для обычной PC100/PC133-памяти CAS Latency могла быть равна 3 или 2. Для DDR-памяти — 2,5 или 2. В настоящий момент практически все продаваемые на локальном рынке PC2100-модули в штатном режиме работают именно с CAS 2,5, что, впрочем, не мешает многим из них нормально функционировать при CAS 2.

Bank Interleave. Этот параметр поддерживается чипсетами VIA. Суть его состоит в том, что вся память делится на "банки", и обращение к одному из них не препятствует одновременному формированию запроса к другому, что позволяет ускорить доступ к памяти, когда требуемые адреса находятся в разных банках. Количество банков может быть от одного до четырех. Соответственно, в случае с одним банком функция Bank Interleave не имеет смысла.

В качестве примера попробуем "разобрать" по предложенной методике произвольно взятый модуль PC2100 DDR SDRAM (см. фото). На бумажной наклейке утверждается, что это модуль "128 MB DDR 266 MHz CL2.5", т. е. PC2100-память, рассчитанная на работу с параметром CAS 2,5. Но мы пока договоримся наклейку не учитывать, так как ее, в принципе, не так уж сложно подделать.

А вот маркировку чипов подделать сложнее, поэтому именно на нее мы и будем ориентироваться. Невооруженным глазом видно, что микросхемы выпущены компанией Hyundai. Самый простой путь — отправиться на сайт производителя (www.hynix.com) и по маркировке микросхем отыскать PDF-файл с описанием. Немного пролистав документ (всего лишь до третьей страницы), в двух небольших таблицах мы находим практически всю интересующую нас информацию: микросхема с маркировкой HY5DU28822T-H — это чип конфигурации 16Mx8, т. е. 128-мегабитовый, и рассчитан он на работу с максимальной частотой 133 MHz (266 DDR) при CAS 2,5. Фактическую емкость модуля легко вычислить путем умножения емкости одного чипа (128 мегабит) на их количество (8), что в результате составляет 128 MB. В этом случае данные, указанные на наклейке, полностью подтвердились — это действительно модуль памяти PC2100 CAS 2,5 объемом 128 MB.

Из прочих важных параметров нас может интересовать только количество банков. Поскольку шина памяти на DDR x86-системах используется 64-битовая, этот параметр подсчитывается также элементарно: 16Mx8 означает 8-битовую шину для одного чипа, число их в модуле также равно восьми, следовательно, 8 x 8 = 64 дает нам как раз один банк. Таким образом, штатные параметры BIOS Setup для системы, в которой установлен такой модуль, будут такими:

  • SDRAM Frequency: 133 MHz;
  • CAS Latency: 2,5;
  • Bank Interleave: Disabled (так как банк всего один).

Соответственно, при установке двух модулей параметр Bank Interleave можно установить в 2 Bank и т. д.

Вместо послесловия

В этом материале мы не ставили себе цель рассмотреть абсолютно все возможные ситуации, модули и микросхемы памяти и варианты их комбинаций. Здесь, скорее, описан общий подход, на основании которого пользователь, желающий найти решение конкретной проблемы, может по крайней мере определиться с ключевыми понятиями и узнать, что, где и как искать. На самом деле взятая для примера задача "проверки соответствия наклейки реальным параметрам" — отнюдь не единственный и, пожалуй, самый простой случай. Так или иначе, хорошим стилем для любого грамотного пользователя является четкое понимание того, какие же именно комплектующие использовались при сборке компьютера и как настроить систему на их основе оптимальным образом.