Elpida и Sharp обещают к 2013 году память ReRam, которая быстрее NAND в 10 тыс раз

Японские компании Elpida Memory и Sharp вместе будут работать над следующим поколением чипов памяти, которое появится в 2013 году. ReRam (resistive random access memory) будет потреблять меньше энергии и сможет записывать данные в 10 тыс раз быстрее, чем существующая NAND flash память, применяемая сейчас в большинстве мобильных устройств.

Согласно спецификациям, применение ReRam позволит записывать в память HD фильм буквально за несколько секунд (что потребует вероятно и нового интерфейса передчи данных, поскольку USB 3.0 может обеспечить теоретически около 625 МБ/с). ReRam также снизит потребление энергии в режиме простоя практически до нуля.

К разработке новой памяти также присоединятся  National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, University of Tokyo и некоторые другие производители чипов.

Запуск массового производства, которое скорее всего будет лежать на плечах Elpida, намечен на самое начало 2013 года.

Конкуренты в лице Toshiba и Samsung также работают над альтернативными видами памяти. В частности Samsung разрабатывает PRAM (phase-change random access memory ) и MRAM (magnetoresistive random access memory).