Компания Elpida сообщила, что ей удалось разработать новый экономичный чип памяти стандарта DDR3 DRAM, обладающий емкостью 4 Гб. Данное устройство изготавливается по нормам 25-нанометрового технологического процесса.
Отмечается, что новые чипы памяти DDR3 DRAM, изготавливаемые по нормам 25-нанометрового технологического процесса, требуют в процессе работы на 25-30% меньше тока, а в режиме простоя на 30-50% меньше тока по сравнению с чипами аналогичной емкости, которые изготовлены по 30-нанометровому технологическому процессу. Кроме того, за счет перехода на более прогрессивный технологический процесс удалось повысить производительность чипов на 45% по сравнению с устройствами Elpida предыдущего поколения, которые изготавливались по 30-нанометровой технологии. Новые чипы памяти могут работать на частоте до 1866 МГц при рабочем напряжении питания 1,35 В или 1,5 В.
Начало массового производства новых чипов памяти Elpida DDR3 DRAM емкостью 4 ГБ, изготавливаемых по нормам 25-нанометрового технологического процесса, запланировано на конец этого года.