Компания Elpida сообщила, что ее инженерам удалось разработать улучшенный чип мобильной оперативной памяти LPDDR3, который обеспечивает одновременно и высокую производительность, и низкий уровень энергопотребления.
Новый чип памяти LPDDR3 производится по нормам 30-нанометрового технологического процесса. Данное устройство обеспечивает скорость передачи данных 1600 Мб/с для каждого контакта, что обеспечивает общую пропускную способность чипа на уровне 6,4 Гб/с. Этот показатель в 2 раза превосходит пропускную способность чипов памяти LPDDR2. Учитывая, что в производительных мобильных устройствах, как правило, применяется по две микросхемы памяти, суммарная пропускная способность подсистемы памяти составит 12,8 Гб/с. При этом новинка использует напряжение 1,2 В. По заверениям производителя, при сравнении с чипами памяти LPDDR2 с сопоставимой скоростью передачи данных, новинка потребляет на 25% меньше энергии. Таким образом, мобильные устройства (смартфоны и планшеты) могут работать дольше от одного заряда аккумулятора. Новый чип памяти Elpida LPDDR3 выпускается в упаковке FBGA / PoP и может иметь емкость 4, 8 или 16 Гб.
Компания Elpida уведомляет, что разработанный чип памяти LPDDR3 будет доступен в виде отдельных образцов до конца этого года. Начало его массового производства запланировано на вторую половину 2012 года, а готовые устройства, использующие данную новинку в своей конструкции, могут появиться на рынке в начале 2013 года.