HP приступает к подготовке выпуска чипов памяти на базе перспективной технологии мемристоров

Hewlett-Packard уже длительное время работала над технологией, которая теоретически может заменить современную flash-память. Похоже, что появление первых устройств, использующих мемристоры уже не просто теория, поскольку в HP заключили сотрудничество с компанией Hynix для производства новых чипов памяти. Официальный анонс должен состояться уже на этой неделе.

Новая технология создания памяти будет называться ReRAM (resistive random access memory), и по прогнозам сотрудников HP Labs первые устройства на ее основе появятся через 3-5 лет.

Мемристоры (memory resistor) были впервые открыты в 1970-х годах в Университете Беркли. Тогда новый 4-й элемент в добавок к сопротивлению, емкости и катушке, был лишь теоретически возможен, однако в 2008 году в лаборатории HP удалось впервые его создать.

С помощью мемристоров возможно хранить в два раза больше информации и при этом использовать меньше энергии, чем в обычной flash памяти. В добавок к этому мемристоры не теряют свой заряд, а значит и информацию с течением времени, а также устойчивы к радиации.

Емкость обычной flash памяти удваивается каждые 12-18 месяцев, однако бесконечно этот процесс не сможет продолжаться, поскольку у миниатюризации чипов есть свой предел. Мемристоры же относятся к «наращиваемым» технологиям. Это значит, что ячейки памяти могут быть построены в несколько слоев, а не только в один, таким образом емкость новых устройств при прежних размерах может быть намного больше.