Hynix лицензирует технологию Z-RAM, позволяющую значительно снизить себестоимость памяти

Компания Innovative Silicon Inc. (ISi) объявила о том, что один из крупнейших производителей памяти DRAM, южнокорейский полупроводниковый гигант Hynix Semiconductor, приобрел лицензию на право применения технологии Z-RAM в своих будущих продуктах.

Технология Z-RAM предназначена для выпуска чипов DRAM на основе однотранзисторных (1T) битовых ячеек памяти, в то время как в существующих продуктах для аналогичных целей применяется комбинация транзисторов и конденсаторов. По словам представителей ISi, их разработка является первым фундаментальным новшеством в области производства памяти с момента изобретения самой DRAM в начале 70-х годов прошлого столетия.

Решение позволит значительно уменьшить размеры ячейки памяти, что создает предпосылки для изготовления сверхплотных модулей DRAM с низкой стоимостью. Hynix Semiconductor станет первым предприятием, которое начнет внедрение Z-RAM на своих производственных объектах; ожидается, что потенциал данной технологии поможет компании значительно укрепить свои позиции на $30-миллиардном рынке памяти.

В то же время Hynix — не первый крупный игрок IT-индустрии, проявивший активный интерес к разработке ISi. В 2005 году технологию Z-RAM для применения в своих новейших микропроцессорах лицензировала компания AMD.