IBM будет производить для Micron память Hybrid Memory Cube

Как сообщалось ранее, компании Samsung и Micron намерены совместно продвигать память DRAM HMC (Hybrid Memory Cube). Теперь же компании IBM и Micron анонсировали начало сотрудничества по производству устройств памяти Hybrid Memory Cube на базе технологии IBM TSV (through-silicon via). Отмечается, что данная технология изготовления чипов памяти позволит обеспечить скорость работы нового типа памяти, которая на порядок превосходит возможности современных аналогов.

IBM будет производить для Micron память Hybrid Memory Cube

В рамках анонсированного сотрудничества IBM будет заниматься изготовлением памяти Hybrid Memory Cube на своей полупроводниковой фабрике в городе East Fishkill, штат Нью-Йорк. При этом, производство будет осуществляться по нормам 32-нанометрового технологического процесса HKMG (High-K Metal Gate — диэлектрик с высокой диэлектрический константой и транзисторы с металлическим затвором).

Согласно имеющейся информации, память Hybrid Memory Cube способна обеспечить скорость передачи данных на уровне 128 ГБ/с, что, приблизительно, в 10 раз превосходит возможности лучших современных модулей памяти. При этом новый вид памяти потребляет на 70% меньше энергии при передаче данных. Еще одним значительным преимуществом памяти Hybrid Memory Cube является ее малый размер, она занимает лишь 10% площади традиционных решений хранения данных. Все указанные преимущества позволят значительно повысить производительность подсистемы памяти. Первоначально память Hybrid Memory Cube планируется применять в производительных серверах и индустриальных компьютерных системах, но со временем она появится и в компьютерных системах потребительского уровня.