Новости Новости 21.08.2007 в 10:31 comment

IBM и TDK совместно повысят емкость памяти MRAM

author avatar
https://secure.gravatar.com/avatar/2f8d57cddfeb455ba418faa11ee01bb0?s=96&r=g&d=https://itc.ua/wp-content/uploads/2023/06/no-avatar.png *** https://secure.gravatar.com/avatar/2f8d57cddfeb455ba418faa11ee01bb0?s=96&r=g&d=https://itc.ua/wp-content/uploads/2023/06/no-avatar.png *** https://itc.ua/wp-content/themes/ITC_6.0/images/no-avatar.svg

ITC.UA

автор

Корпорации IBM и TDK объявили совместную научно-исследовательскую программу, целью которой станет разработка технологий, предназначенных для создания магниторезистивной памяти (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM) с повышенной емкостью.

Принцип действия MRAM основан на изменении сопротивления материала в зависимости от приложенного магнитного поля. Важным преимуществом данного типа памяти является сочетание энергонезависимости и высокой скорости доступа, ключевым недостатком — большой размер ячеек, и, как следствие, малая емкость. В частности, максимальный объем серийно выпускаемого чипа MRAM в настоящий момент составляет лишь 4 Mb.

В совместном заявлении двух компаний отмечается, что IBM принадлежит ведущая роль в развитии MRAM, равно как и в фундаментальных исследованиях, открывших возможность создания данного типа памяти. Корпорация TDK накопила большой опыт применения технологии магнитного туннельного соединения (Magnetic Tunnel Junction, MTJ) в записывающих головках жестких дисков. Оба партнера имеют множество патентов на материалы и технологии магнитной цифровой записи.

Продолжается конкурс авторов ИТС. Напиши статью о развитии игр, гейминг и игровые девайсы и выигрывай профессиональный игровой руль Logitech G923 Racing Wheel, или одну из низкопрофильных игровых клавиатур Logitech G815 LIGHTSYNC RGB Mechanical Gaming Keyboard!


Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: