Intel и Micron доводят скорость чтения флэш-памяти до 200 MB/с

Компания IM Flash Technologies, основанная совместно корпорациями Intel и Micron, объявила о разработке новой технологии производства флэш-памяти, позволяющей добиться значительного роста быстродействия компонентов NAND — почти в пять раз по сравнению с показателями выпускаемых сейчас чипов.

В частности, скорость чтения у флэш-памяти, выпущенной по технологии IM Flash Technologies, может достигать 200 MB/с, скорость записи — 100 MB/c.

Предполагается, что высокоскоростные компоненты NAND могут стать основой для нового поколения твердотельных накопителей, как минимум не уступающих по производительности традиционным жестким дискам, но в то же время выгодно отличающихся от них меньшими габаритами и весом, повышенной надежностью (из-за отсутствия механических частей).

Сообщается, что компания Micron уже приступила к выпуску на основе новой технологии тестовых образцов чипов флэш-памяти емкостью 8 Gb. Серийное производство таких чипов должно начаться уже во второй половине 2008 года.