Исследователи создали производительные и экономичные чипы ReRAM на базе оксида кремния

Группа исследователей из University College London разработали первый чип типа ReRAM (Resistive RAM — резистивная память с произвольным доступом) на базе оксида кремния, который способен работать при обычных условиях окружающей среды. Это обеспечивает возможность создания сверх-скоростной памяти.

Память ReRAM основана на изменении сопротивления материала (как правило, оксида металла) в результате воздействия напряжения. При этом, состояние материала остается неизменным даже после прекращения подачи энергии. Таким образом, память ReRAM является энергонезависимой. По сравнению с современной энергонезависимой памятью на базе флэш-чипов память ReRAM обладает рядом значительных преимуществ. Среди них выделяются более высокая плотность хранения данных, меньшее энергопотребление, более компактные размеры чипов. В то же время память ReRAM способна обеспечить более высокую производительность и долговечность.

Исследователям из University College London удалось добиться значительно прогресса в освоении памяти ReRAM благодаря внедрению новой структуры чипов на базе оксида кремния. В результате, исследователи добились значительного прироста эффективности изменения сопротивления. В используемом материале атомы упорядочены во фрагменты кремния в оксиде кремния, обладая иным значением сопротивления. Наличие или отсутствие этих фрагментов и соответствует переключению от одного состояния к другому. Примечательно, что данная разработка может эксплуатироваться при обычных окружающих условиях, а не в вакууме, как предыдущие решения ReRAM на базе оксида кремния. Кроме того, новая технология обеспечивает возможность создания более доступных и долговечных чипов памяти. Еще одной особенностью новой разработки является возможность создания прозрачных чипов памяти, что позволяет использовать их в сенсорных дисплеях и мобильных устройствах.

По словам одного из разработчиков — Доктора Тони Кеньен (Tony Kenyon) — новые чипы памяти для своей работы требуют лишь тысячные доли той энергии, которую потребляют современные чипы флэш-памяти. При этом они обеспечивают, приблизительно, 100-кратный прирост производительности по сравнению с флэш-памятью.

Исследователи уже заполнили патентную заявку на свою разработку. Также сообщается, что в настоящее время ведутся переговоры с различными компаниями, выпускающими полупроводниковую продукцию. Однако сроки появления на рынке коммерческих образцов памяти ReRAM пока не называются.