iSuppli: цены на память DRAM упадут раньше, чем ожидалось

Неутешительный для производителей оперативной памяти прогноз опубликовала корпорация iSuppli: проанализировав ситуацию на рынке DRAM, эксперты пришли к выводу, что падение цен на эту разновидность электронной продукции произойдет уже в сентябре — а не в октябре, как предполагалось ранее.

Основой для столь пессимистичных оценок стали значительные складские запасы микросхем памяти, от которых так и не удалось избавиться этим летом. В частности, речь идет о модулях памяти, накопившихся по состоянию на январь текущего года и ставших следствием значительного роста объемов производства чипов в четвертом квартале 2006 г.

Усугубляет ситуацию увеличение средних отпускных цен (и соответствующее снижение предложения) на рынке ЖК-панелей. Как следствие, ожидается, что в четвертом квартале производители ПК пойдут на сокращение статей, связанных с закупкой DRAM, чтобы направить высвободившиеся средства на приобретение панелей и сохранить тем самым на прежнем уровне средную цену на свою продукцию.

Единственное, что, по мнению экспертов iSuppli, может повлиять на этот сценарий, — эффект от сбоя системы энергоснабжения на заводе Samsung Electronics, произошедшего в начале августа. Хотя авария коснулась в основном линий, выпускающих компоненты флэш-памяти NAND, чтобы компенсировать потери, Samsung придется переориентировать на производство NAND часть мощностей, занимавшихся выпуском памяти DRAM. Впрочем, вряд ли эффект от такого сокращения предложения будет значительным.

Впрочем, по мнению iSuppli, спад доходов заставит поставщиков DRAM пересмотреть планы по наращиванию объемов производства. Уже в 2008 г. увеличение выпуска модулей в битовом исчислении не превысит 60%, в то время как в текущем году этот показатель зафиксируется на уровне 97%. Это, в свою очередь, позволит приблизиться к балансу между спросом и предложением. В результате, по оценкам iSuppli, в 2008 г. рынок DRAM ожидает неожиданно резкое увеличение темпов роста доходов — до 17,5% в сопоставлении c 2007 г.