Новости Новости 25.06.2008 в 08:51 comment

Micron обозначила пути развития технологий NAND Flash

author avatar
https://secure.gravatar.com/avatar/2f8d57cddfeb455ba418faa11ee01bb0?s=96&r=g&d=https://itc.ua/wp-content/uploads/2023/06/no-avatar.png *** https://secure.gravatar.com/avatar/2f8d57cddfeb455ba418faa11ee01bb0?s=96&r=g&d=https://itc.ua/wp-content/uploads/2023/06/no-avatar.png *** https://itc.ua/wp-content/themes/ITC_6.0/images/no-avatar.svg

ITC.UA

автор

На организованном ею мероприятии Memory Day в Тайбэе корпорация Micron представила собственный план развития технологий флэш-памяти NAND. В настоящее время компания уже наладила массовый выпуск флэш-карт NAND, выполненных по 50-нанометровому техпроцессу, а в IV квартале 2008 г. намерена начать поставки памяти, произведенной с детализацией 34 нм . По заявлению компании, ею уже достигнут приемлемый выход годных пластин для флэш-памяти NAND 32 Гб по 34-нанометровому техпроцессу.

Micron рассчитывает, что вышеупомянутые достижения обеспечат ее совместному с Intel предприятию IM Flash место среди лидеров по внедрению технологических инноваций.

Наиболее востребованными на рынке флэш-памяти, по ее мнению, будут высокоплотные SSD-диски емкостью 32–128 ГБ. Самый большой потенциал роста, по мнению экспертов, имеет Азиатский регион, на который сейчас приходится 56% продаж флэш-памяти, в то время как доля Северной и Южной Америки составляет 32%, а EMEA – 12%.

Источник: "Компьютерное обозрение"

Продолжается конкурс авторов ИТС. Напиши статью о развитии игр, гейминг и игровые девайсы и выигрывай профессиональный игровой руль Logitech G923 Racing Wheel, или одну из низкопрофильных игровых клавиатур Logitech G815 LIGHTSYNC RGB Mechanical Gaming Keyboard!


Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: