Micron обозначила пути развития технологий NAND Flash

На организованном ею мероприятии Memory Day в Тайбэе корпорация Micron представила собственный план развития технологий флэш-памяти NAND. В настоящее время компания уже наладила массовый выпуск флэш-карт NAND, выполненных по 50-нанометровому техпроцессу, а в IV квартале 2008 г. намерена начать поставки памяти, произведенной с детализацией 34 нм . По заявлению компании, ею уже достигнут приемлемый выход годных пластин для флэш-памяти NAND 32 Гб по 34-нанометровому техпроцессу.

Micron рассчитывает, что вышеупомянутые достижения обеспечат ее совместному с Intel предприятию IM Flash место среди лидеров по внедрению технологических инноваций.

Наиболее востребованными на рынке флэш-памяти, по ее мнению, будут высокоплотные SSD-диски емкостью 32–128 ГБ. Самый большой потенциал роста, по мнению экспертов, имеет Азиатский регион, на который сейчас приходится 56% продаж флэш-памяти, в то время как доля Северной и Южной Америки составляет 32%, а EMEA – 12%.

Источник: "Компьютерное обозрение"