Micron выпустит 16 GB модули памяти DDR3 в первом квартале 2008 года

Компания Micron Technology заявила о разработке компонента динамической памяти DDR3 с рекордной плотностью 2 Gb. Использование 2-гигабитных чипов, выпускаемых на основе 78 нм техпроцесса, позволит уже в ближайшем будущем начать поставки готовых модулей памяти стандарта DDR3-1333 емкостью 8 и 16 GB для серверов, 4 GB — для настольных ПК и ноутбуков.

По словам представителей Micron, повышение плотности модулей DRAM — ответ на запросы разработчиков программного обеспечения, предъявляющих все более высокие требования к подсистеме оперативной памяти. В пресс-релизе цитируется прогноз агентства IDC, по оценкам которого уже к концу 2008 года в среднестатическом настольном ПК будет установлено более 2 GB памяти, в ноутбуке — около 1,8 GB, в сервере (на базе x86-архитектуры) — 11,2 GB.

Еще одним важным преимуществом DDR3 является пониженный уровень энергопотребления — как за счет перехода на меньшее напряжение питания (1,5 В, против 1,8 В у DDR2), так и за счет использования меньшего числа чипов на модулях аналогичной емкости по сравнению с DDR2.

Сообщается, что OEM-производители уже начали получать образцы модулей памяти DDR3-1333 на основе новых 2-гигабитных чипов Micron. В продаже такие продукты должны появиться в I квартале 2008 года.