Компания OCZ сообщила, что она первой среди производителей твердотельных накопителей полностью перешла на использование в производственном процессе своих устройств флэш-чипов NAND, изготавливаемых по нормам 20-нанометровых технологических процессов. В частности, речь идет о 25-нанометровом техпроцессе.
Отмечается, что использование более тонкого производственного процесса позволяет повысить емкость накопителей при том же уровне стоимости. Однако переход на новый техпроцесс принес и один существенный недостаток — сокращение количества возможных циклов записи в одну ячейку памяти. Так, для чипов NAND, изготовленных по нормам 34-нанометрового технологического процесса количество циклов записи для каждой ячейки памяти составляет 5000, в то время как для 25-нанометровых чипов NAND доступно лишь 3000 циклов. Потому, для обеспечения достаточного жизненного цикла твердотельных накопителей на базе новых флэш-чипов необходимо увеличивать емкость их резервных ячеек, которые недоступны пользователю, но используются контроллером для уменьшения износа. Следует отметить, что пользователи первых твердотельных накопителей OCZ, в которых использовались 25-нанометровые флэш-чипы NAND, отмечали недостачу 4-5 ГБ (в зависимости от модели) емкости накопителя по сравнению с аналогами, изготовленными на базе 34-нанометровых чипов.
Новые твердотельные накопители OCZ, в которых применяются флэш-чипы NAND, изготовленные по нормам 25-нанометрового технологического процесса, обеспечиваются такой же гарантией, как и предыдущие устройства.