Компания Qimonda AG начала предоставлять тестовые образцы модулей памяти DDR3 SO-DIMM емкостью 1 GB и 2 GB своим партнерам и заказчикам. Предполагается, что новая разновидность оперативной памяти найдет применение уже в следующем поколении мобильных компьютеров и подобных им устройств, которые должны будут выйти на рынок в первой половине 2008 года.
Основой модулей DDR3 SO-DIMM являются чипы емкостью 1 Gb, разработанные Qimonda AG совместно с корпорацией Nanya Technology и выпускаемые по 75 нм технологии. Пониженное стандартное напряжение питания (1,5 В, против 1,8 В у DDR2) в сочетании с целым рядом оптимизаций обеспечивает значительно меньшее энергопотребление подсистемы памяти и, как следствие, позволяет добиться увеличения автономного времени работы соответствующих моделей ноутбуков.
Также отмечается, что пиковая пропускная способность модулей DDR3 SO-DIMM достигает 1600 Mbps — что в два раза выше, чем у стандартных модулей DDR2 SO-DIMM. Таким образом, переход на новый стандарт повысит быстродействие готовых систем, особенно в приложениях, критичных именно к скорости подсистемы памяти.