Разработана флеш-память NAND для экономичных высокоскоростных SSD

Группа исследователей из Токийского университета (University of Tokyo) под руководством профессора Кена Такеучи (Ken Takeuchi) разработали новую технологию, которая позволяет снизить уровень энергопотребления твердотельных накопителей на основе флеш-памяти NAND и в то же время может существенно повысить их скоростные показатели работы.

Предлагается для создания флеш-чипов использовать ферроэлектрическую память NAND, в которой применяются ферроэлектрические материалы (ферроэлектрические затворы диэлектрической оболочки и металлические затворы для ячеек памяти). В результате рабочее напряжение питания таких чипов составляет всего 1 В, в то время как для традиционных флеш-чипов памяти NAND напряжение питания составляет 3 В. При этом отмечается, что при осуществлении операций записи напряжение питания в обычной флеш-памяти повышается до 20 В, в то время как в ферроэлектрической памяти NAND — до 6 В. Таким образом, энергопотребление и тепловыделение твердотельных накопителей на базе новых флеш-чипов может быть существенно снижено без ухудшения параметров работы устройств.

Также отмечается, что за счет применения ферроэлектрической памяти NAND можно добиться значительного повышения скорости записи накопителей. Это достигается в результате того, что из-за снижения рабочего напряжения появляется возможность обеспечения одновременной параллельной записи в 110 различных чипах NAND (при нынешней технологии одновременная запись возможна лишь в 16 чипах) без превышения допустимых параметров энергопотребления. Таким образом, скорость записи твердотельных накопителей может быть повышена до 9,5 ГБ/с.

О сроках внедрения технологии производства ферроэлектрической памяти NAND пока не сообщается.