Компания Samsung заявила о начале массового производства первых в отрасли чипов флэш-памяти 3D V-NAND (Vertical NAND) ёмкостью 256 Гбит. Эти чипы изготавливаются на базе 48 слоёв 3-битных наборов памяти MLC (multi-level-cell). Отмечается, что это уже третье поколение флэш-памяти V-NAND.
Новые чипы флэш-памяти предназначены для применения в составе твердотельных накопителей. Они обладают в 2 раза большей ёмкостью по сравнению с обычными чипами NAND (128 Гбит). Благодаря использованию чипов ёмкостью 256 Гбит (или 32 ГБ) на одной подложке компания Samsung сможет выпускать твердотельные накопители более высокой ёмкости — до нескольких ТБ.
Вместе с тем, новая флэш-память позволит создавать более производительные и энергоэффективные продукты. Дело в том, что 48-слойные чипы 3D V-NAND ёмкостью 256 Гбит потребляют на 30% меньше энергии по сравнению с устройствами предыдущего поколения (32-слойными чипами 3D V-NAND ёмкостью 128 Гбит) при хранении такого же объёма данных. Продуктивность изготовления новых чипов на 40% выше по сравнению с решениями предыдущего поколения. Это позволит вывести на рынок более доступные SSD, используя существующее оборудование.
48-слойные чипы памяти 3D V-NAND ёмкостью 256 Гбит будут использоваться для выпуска потребительских SSD ёмкостью 2 ТБ и более, а также корпоративных твердотельных накопителей высокой ёмкости, оснащённых интерфейсами PCIe NVMe и SAS.
Источник: SamsungTomorrow