Samsung начинает производство чипов памяти LPDDR2 по технологии 20-нанометрового класса

Компания Samsung сообщила о начале массового производства первых в отрасли чипов памяти LPDDR2 (low power double-data-rate 2) емкостью 4 Гб, используя производственную технологию 20-нанометрового класса.

Отмечается, новая мобильная DRAM память Samsung, изготавливаемая по технологии 20-нанометрового класса, является наиболее тонким, высокоемким и высокопроизводительным мобильным решением на рынке. Благодаря этому она может использоваться в составе ультратонких мобильных устройств. Используя компоненты емкостью 4 Гб, Samsung может поставлять решения суммарной емкостью 2 ГБ, представляющие собой стек из четырех отдельных модулей в одной LPDDR2 упаковке. При этом, высота такого решения составляет всего 0,8 мм, что на 20% меньше, чем аналогичный стек емкостью 2 ГБ, состоящий из четырех модулей LPDDR2 емкостью 4 Гб, которые изготавливаются по нормам технологии 30-нанометрового класса. Упаковка на базе новых чипов памяти обеспечивает скорость передачи данных 1066 Мб/с, сохраняя прежний уровень энергопотребления.

Ожидается, что уже в скором времени решения LPDDR2, изготавливаемые по технологии 20-нанометрового класса, вытеснят на рынке устройства, основанные на технологии предыдущего поколения, так как они обладают рядом значительных преимуществ. Во второй половине этого года компания Samsung намерена значительно увеличить объем выпуска новых чипов. По мнению аналитиков iSuppli, память LPDDR2 в дальнейшем будет стремительно набирать популярность среди производителей мобильных устройств.