Samsung официально представила линейку потребительских SSD 850 EVO c 3-битными чипами флеш-памяти 3D Vertical NAND

SSD_850EVO-6

Компания Samsung официально сообщила о предстоящем выходе 850 EVO, последнего дополнения в своей линейке SSD потребительского класса, основанного на 32-слойной флеш-памяти 3D Vertical NAND с 3-битными ячейками (MLC).

SSD_850EVO-5

По заявлению производителя, новые накопители идеально подходят для использования в обычных ПК, поскольку обеспечивают значительный прирост по части производительности и износостойкости по сравнению с предыдущим поколением.

SSD_850EVO-4

Анонсированные южнокорейской компанией под девизом «Новый уровень производительности и износостойкости» SSD Samsung 850 EVO уже в этом месяце поступят в продажу в 53 странах мира (США, Европа и Азия).

В отличие от анонсированных в июле моделей 850 Pro, в которых используется флеш-память 3D Vertical NAND с 2-битными ячейками, в случае 850 EVO используется 3-битная (TLC) память стандарта 3D V-NAND, изготавливаемая по нормам 32 нм.

SSD_850EVO-3

Накопители Samsung 850 Evo будут выпускаться в четырех вариантах объема памяти: 120 ГБ, 250 ГБ, 500 ГБ и 1 ТБ. Они оснащены интерфейсом SATA 6 Гбит/с и контроллером собственной разработки Samsung MGX или MEX (только модель объемом 1 ТБ). Объем кэш-памяти типа LPDDR2 варьируется в зависимости от емкости в пределах от 256 до 1024 МБ.

SSD_850EVO-2

Любопытно, что все представители новой линейки накопителей Samsung 850 EVO характеризуются одинаковыми показателями производительности в режиме последовательного чтения и записи – 540 и 520 Мбайт/с, соответственно. Аналогичная картина наблюдается на операциях чтения и записи с произвольным доступом блоками размером 4 КБ (режим QD1) – 10 тыс и 40 тыс IOPS, соответственно. В тестах с глубиной очереди QD32 максимальная производительность при произвольном чтении доходит до значения 98 тыс IOPS, а при произвольной записи – 90 тыс IOPS (здесь с уменьшением емкости происходит незначительное ухудшение показателей быстродействия).

SSD_850EVO-1

В числе других особенностей Samsung 850 Evo стоит отметить поддержку аппаратного шифрования по алгоритму AES с длиной ключа 256 бит, функций TRIM, Garbage Collection и S.M.A.R.T. Кроме того, в новых накопителях применяется фирменная технология кэширования TurboWrite, обеспечивающая более высокую производительность в операциях записи, а также поддерживается режим Rapid, который позволяет задействовать до 4 ГБ системной ОЗУ в качестве дополнительного кэша. В то же время температурные показатели SSD непрерывно отлеживает технология Dynamic Thermal Guard.

На все модели линейки распространяется действие гарантии сроком пять лет. Что же касается показателя TBW (объем данных в ТБ, который может быть записан на накопитель в течение срока службы), для вариантов объемом 120 и 250 ГБ он заявлен на уровне 75 ТБ, а для старших моделей – 150 Тбайт.

В режиме Device Sleep накопители потребляют 2-4 мВт, во время простоя – 50 мВт, а при активной работе потребляемая мощность не превышает 4,4 Вт. Время наработки на отказ – 1,5 млн часов. В выключенном состоянии новинки способны выдержать ударные ускорения до 1500G и вибрации до 20G при частоте 20-2000 Гц.

Накопители будут выпускаться в металлических корпусах типоразмера 2,5 дюйма. Габариты SSD составляют 100х69,85х6,8 мм при максимальной массе 66 г.

Стоимость накопителей Samsung 850 Evo составляет $100, $150, $270 и $500 в зависимости от объема памяти.

В следующем году Samsung планирует расширить линейку накопителей 850 EVO моделями с интерфейсами mSATA и M.2.

Источник: Samsung