Samsung начинает производство 40-нанометровых чипов памяти DDR3

Около полугода назад компания Samsung выпустила первые чипы памяти DRAM, выполненные с уровнем детализации 40 нм, и соответствующего модуля памяти – микросхемы DDR2 1 Гб/с и планки DDR2 SODIMM объемом 1 ГБ с пропускной способностью 800 Мб/с.

Теперь же сообщается, что данный производитель приступил к массовому производству первых 40-нанометровых чипов DRAM стандарта DDR3 емкостью 2 ГБ. Новинки обеспечивают пропускную способность на уровне 1,6 Гб/с при напряжении питания всего 1,35 В. Планируется, что данные чипы DRAM будут применяться для производства компанией Samsung нерегистровых модулей памяти DIMM и SODIMM емкостью до 4 ГБ, а также регистровых модулей DIMM для серверного сегмента емкостью от 4 до 16 ГБ.

По заявлению вице-президента отдела маркетинга памяти, подразделения Samsung Semiconductor, Джима Эллиота (Jim Elliott), в настоящее время наблюдается постепенный переход рынка к более эффективной памяти DDR3.