Samsung наладила массовый выпуск 30-нанометровых чипов памяти Green DDR3

Компания Samsung сообщила, что она первой в отрасли наладила массовое производство чипов памяти Green DDR3 емкостью 2 Гб, используя нормы 30-нанометрового технологического процесса. Такие чипы отличаются низким потреблением энергии и могут использоваться для производства модулей памяти, предназначенных для работы в составе серверов, настольных компьютеров, ноутбуков, нетбуков и мобильных устройств.

По заявлениям производителя, новинки отличаются высоким уровнем производительности при низком энергопотреблении. Так, для серверных модулей памяти, основанных на новых чипах памяти Samsung Green DDR3, стандартным рабочим является напряжение 1,35 В. При этом серверные модули памяти могут достигать скорости передачи данных до 1866 Гб/с. В то же время модули памяти для настольных компьютерных систем при рабочем напряжении питания 1,5 В обеспечивают пропускную способность памяти 2133 Гб/с, что в 3,5 раза больше по сравнению с памятью стандарта DDR2 и в 1,6 раза больше, чем показатель памяти стандарта DDR3, выполненной по нормам 50-нанометрового технологического процесса. Также отмечается, что уровень экономии энергии в серверных системах при переходе от 50-нанометровых чипов памяти DDR3 к 30-нанометровым чипам Green DDR3 достигает 20%. Кроме того, использование в настольном компьютере на базе многоядерного процессора одного модуля памяти емкостью 4 ГБ на базе представленных чипов обеспечивает прирост производительности подсистемы памяти на 60% по сравнению с двумя модулями памяти емкостью 2 ГБ каждый на базе 50-нанометровых чипов DDR3. В то же время прирост продуктивности производства при переходе от 50-нанометрового технологического процесса к 30-нанометровому составляет 155%, что позволяет выпускать большее количество чипов при неизменном уровне материальных затрат. Таким образом, снижается себестоимость производства каждого чипа.

Также Samsung планирует до конца этого года наладить массовое производство 30-нанометровых чипов памяти Green DDR3 емкостью 4 Гб. Таким образом, появится возможность существенно повысить емкость конечных модулей памяти стандарта DDR3: до 32 ГБ — для серверных модулей, до 8 ГБ — для настольных модулей, применяемых в рабочих станциях и настольных системах, и до 8 ГБ — для мобильных модулей памяти, используемых в составе ноутбуков, нетбуков и моноблочных компьютеров.