Samsung разработала экономичные модули памяти DDR3

Компания Samsung сообщила, что ее инженерам удалось разработать экономичные модули регистровой памяти RDIMM для корпоративных серверов со сверхнизким энергопотреблением.

Новые модули памяти Samsung DDR3 выполнены на базе микросхем, которые изготавливаются по нормам 30-нанометрового технологического процесса. Отмечается, что новинки работают при напряжении питания 1,25 В, что значительно ниже, чем у обычных модулей памяти DDR3 (1,5 В) и экономичных модулей памяти DDR3 (1,35 В). При этом, по заверениям производителя, новые устройства обладают более высокой производительностью.

Samsung разработала экономичные модули памяти DDR3

Так, модуль памяти RDIMM емкостью 16 ГБ с рабочим напряжением 1,25 В потребляет всего 3,7 Вт электроэнергии в час, поддерживая при этом скорость передачи данных 1333 Мб/с. Он потребляет на 15% меньше энергии, чем предыдущий рекордсмен — модуль RDIMM емкостью 16 ГБ с рабочем напряжением 1,35 В на базе микросхем DDR3 емкостью 4 Гб, которые изготавливаются по нормам 30-нанометрового технологического процесса. Кроме того, представленное устройство потребляет на 60% меньше энергии, чем модуль RDIMM емкостью 16 ГБ с рабочим напряжением 1,35 В на базе микросхем DDR3 2 Гб, выполненных по 40-нанометровому технологическому процессу.

Samsung планирует начать массовое производство новых модулей в версиях емкостью 8 и 16 ГБ после испытаний у ОЕМ-производителей. Ожидается, что в следующем году модули памяти RDIMM с напряжением питания 1,25 В будут пользоваться повышенным спросом в центрах обработки данных и корпоративных серверных системах.