Samsung увеличила пропускную способность мобильной памяти в 8 раз

Samsung увеличила пропускную способность мобильной памяти в 8 разКомпания Samsung сообщила, что ей удалось разработать новый тип мобильной памяти, ориентированной на применение в составе смартфонов и планшетов. Данная новинка обеспечивает более широкую пропускную способность памяти, чем существующие решения.

Память LPDDR2 (Low Power Double Data Rate 2) RAM содержит в 16 раз больше контактов подключения чипа — с 32 контактов в стандартной памяти до 512 контактов в новой разработке Samsung. В результате, пропускная способность памяти увеличилась в 8 раз — с 1,6 ГБ/с до 12,8 ГБ/с. Несмотря на увеличение пропускной способности, новинка обладает низким уровнем энергопотребления. По заверениям Samsung, потребление энергии памяти LPDDR2 на 87% ниже, чем у стандартной.

Первоначально память LPDDR2 будет изготавливаться в виде чипов емкостью 1 Гб (128 МБ) по нормам 50-нанометрового технологического процесса. Точные сроки поступления на рынок таких устройств пока не сообщаются. Однако отмечается, что в 2013 году Samsung намерена приступить к поставкам чипов памяти LPDDR2, изготавливаемых по нормам 20-нанометрового технологического процесса, обладающих емкостью 4 Гб (512 МБ).