SanDisk разрабатывает трехмерную флэш-память

Главный исполнительный директор компании SanDisk Эли Харари (Eli Harari) рассказал, что в настоящее время он видит только один возможный метод дальнейшего увеличения емкости флэш накопителей – создание трехмерной памяти. В интервью New York Times он привел аналогию: «Когда Манхэттен занял все свободное пространство, начали строиться небоскребы. То же касается и нас».

На данный момент каждая ячейка флэш-памяти должна содержать минимум один электрон, следовательно есть физические пределы уменьшения размера ячеек и увеличения емкости. При нынешних темпах развития технологий такого лимита производители флэш-чипов достигнут на протяжении пяти лет, когда емкость единичного чипа составит 32 ГБ – в 2-3 раза больше существующих ныне устройств.

Потому для дальнейшего увеличения емкости флэш-чипов нужно применять новую технологию трехмерного построения чипов, когда они укладываются друг на друга. На данный момент инженерам SanDisk удалось создать устройства, состоящие из восьми слоев, теоретическая максимальная емкость которых составляет 256 ГБ. Однако существующий прототип обеспечивает лишь однократную запись информации.