Silicon Power представила новые модули памяти DDR3

Компания Silicon Power после релиза USB-флеш накопителей в защищенном корпусе сообщила о выпуске новых модулей памяти стандарта DDR3, которые позиционируются в качестве устройств, способных обеспечить более высокую производительность без разгона.

Silicon Power предлагает новые модули памяти DDR3

Новые модули памяти Silicon Power DDR3 работают на частоте 1600 МГц при таймингах CL9 CAS. При этом рабочее напряжение питания составляет 1,5 В. Представленные устройства соответствуют стандартам JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council). Новинки используют новый fly-by топологический дизайн для более эффективных команд, адресов, контрольных и временных сигналов, а также обладают поддержкой On-DIE Termination (ODT), что позволяет снизить нежелательные рефлекторные сигналы и увеличить скорость передачи сигнала. Кроме того, компания Silicon использует оригинальные чипы памяти в упаковке FBGA для лучшего теплообмена и точной передачи данных. Модули памяти Silicon Power на 100% протестированы и могут обеспечить эффективную передачу, стабильность и совместимость. Серия Silicon Power DDR3 также соответствует стандартам RoHS. Пользователю доступны несколько моделей в рамках данной серии: модуль Long-DIMM емкостью 2 ГБ SP002GBLTU160S02, модуль So-DIMM емкостью 2 ГБ SP002GBSTU160S02, двухканальный комплект Long-DIMM суммарной емкостью 4 ГБ SP004GBLTU160S22, трехканальный комплект Long-DIMM суммарной емкостью 6 ГБ SP006GBLTU160S32. Все новинки обеспечиваются пожизненной гарантией производителя.

Информация о сроках начала продаж новых устройств Silicon Power DDR3 и уровне их рекомендованных розничных цен пока не сообщается.