Новости Технологии 11.10.2016 в 08:49 comment

«Спасти закон Мура»: создан транзистор с затвором длиной всего 1 нм

author avatar
https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg

Володимир Скрипін

Заместитель главного редактора, руководитель отдела новостей

Раздел Технологии выходит при поддержке Favbet Tech

На страницах нашего сайта мы достаточно часто вспоминаем о «законе» Мура, постулирующем регулярное (каждые два года) удвоение плотности размещения элементов в интегральных схемах, которое приводит к улучшению их потребительских характеристик.

В большинстве своем – это заметки, связанные с теми или иными достижениями, которые либо продлевают жизнь этому негласному принципу, отметившему в прошлом году свое 50-летие, либо касаются перспективных разработок, метящих на его место (из последних – новость о теории хаоса). Здесь же речь пойдет о новом достижении ученых из Национальной лаборатории имени Лоуренса при Калифорнийском университете в Беркли (UCB). Им удалось то, что до недавнего времени считалось принципиально невозможным, а именно – «создать самый маленький в истории транзистор с затвором длиной в 1 нанометр». Отметим, что сейчас на рынке в основном распространены транзисторы с затвором длиной в 20 нм. Да, вы все правильно поняли, это значит, что «закон» Мура, который за последние время хоронили бесчисленное количество раз, еще поживет.

Исследование опубликовано в журнале Science, кратко о нем сообщает источник.

transistor_schematic670

Ключом к успеху, как и в случае с прошлогодним инженерным прорывом IBM, стало применение углеродных нанотрубок. Справедливости ради отметим, что углеродные нанотрубки далеко не единственный весьма экзотический и дорогостоящий материал, используемый исследователями для достижения этого результата. Исследователи также использовали дисульфид молибдена (MoS2), без которого вряд ли стал бы возможен этот прорыв. Дело в том, что с каждым шагом уменьшения норм становится все труднее удерживать контроль над передачей электронов – из-за больших утечек транзисторы попросту перестают работать. Именно слой дисульфид молибдена позволил исследователям обойти это ограничение. При прохождении через него электроны «тяжелеют», что позволяет использовать меньшую длину затвора, вплоть до 1 нм.

transistor_tem-cross670

Вне всяких сомнений, это очень важное достижение, но исследователи UCB явно лукавят, говоря, что никому прежде не удавалось преодолеть порог в 5 нм. Как отмечает источник, в 2008 году ученые Университета Манчестера использовали графен для создания 1-нм транзистора, а два года до этого корейские ученые применили технологию FinFET для создания транзистора с длиной канала в 3 нм. Так или иначе, опасающиеся за дальнейшую судьбу закона Мура могут спать спокойно, он еще поживет.

Project Manager.
Онлайн-курс Project Manager. З нуля за 3,5 місяці до нової позиції Без знання коду, англійської та стресу.
Зарееструватися

Источник: Engadget

Раздел Технологии выходит при поддержке Favbet Tech

Favbet Tech – это IT-компания со 100% украинской ДНК, которая создает совершенные сервисы для iGaming и Betting с использованием передовых технологий и предоставляет доступ к ним. Favbet Tech разрабатывает инновационное программное обеспечение через сложную многокомпонентную платформу, способную выдерживать огромные нагрузки и создавать уникальный опыт для игроков. IT-компания входит в группу компаний FAVBET.

Продолжается конкурс авторов ИТС. Напиши статью о развитии игр, гейминг и игровые девайсы и выигрывай профессиональный игровой руль Logitech G923 Racing Wheel, или одну из низкопрофильных игровых клавиатур Logitech G815 LIGHTSYNC RGB Mechanical Gaming Keyboard!


Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: