Специалисты SanDisk и Toshiba разработали новую технологию флэш-памяти

На международной конференции International Solid-State Circuits Conference, которая сейчас проходит в Сан-Франциско (США), компании SanDisk и Toshiba представили новую технологию флэш-памяти, благодаря которой емкость карт microSD может быть увеличена до 32 ГБ. Технология объединяет 32-нанометровый техпроцесс производства и так называемые ячейки памяти X3, каждая из которых способна хранить 3 бита информации. Для создания конечных продуктов будет применяться MLC NAND-флэш.

Также японские компании планируют использовать ячейки памяти X4 (одна хранит 4 бита информации) в производстве интегрируемых модулей флэш-памяти для портативных устройств. Скорость передачи данных у них не сильно увеличится по сравнению с существующими решениями – в среднем она составит 7,8 МБ/с, а емкость станет в 2 раза выше, чем у новейших чипов Toshiba, то есть 64 ГБ.

Начало массового производства чипов памяти с ячейками X3 запланировано на второй квартал этого года. Что касается новых интегрируемых модулей памяти, то дата их релиза пока не известна.