Стартовал проект создания нового интерфейса DRAM

Hynix Semiconductor, LG Electronics, Samsung Electronics и Silicon Image приняли на себя долгосрочные обязательства по совместной разработке и продвижению спецификаций нового поколения интерфейса динамической памяти.

Созданный ими консорциум должен содействовать скорейшему принятию Serial Port Memory Technology (SPMT) в качестве промышленного стандарта. SPMT первоначально нацелен на рынок мобильных телефонов, где сделает возможным появление устройств, способных выполнять приложения с интенсивной обработкой данных при экономном расходовании заряда батерей.

Основные преимущества SPMT: уменьшение на 40% количества контактов, по сравнению с существующими технологиями DRAM; гибкая пропускная способность интерфейса, меняющаяся от 200 МБ/с до 12,6 ГБ/с и выше; подключение к одному SPMT-совместимому чипу памяти одно- и многопортовых конфигураций.

Использующие спецификации SPMT не должны платить лицензионные отчисления в SPMT Consortium – с них будет взиматься ежегодный взнос, покрывающий административные, маркетинговые и лицензионные расходы SPMT Consortium.