Toshiba готовит сверхскоростную память DRAM

Корпорация Toshiba объявила о разработке технологии производства сверхбыстрых компонентов встраиваемой DRAM, способных работать на тактовой частоте 833 MHz при плотности 32 Mb. Данная технология, которая найдет применение в первую очередь в схемах обработки графики, была представлена на конференции ISSCC (International Solid State Circuits Conference), начавшейся 3 февраля в Сан-Франциско.

Добиться столь высокого быстродействия удалось за счет применения в конструкции новых чипов DRAM т.н. "псевдодвухпортовой" организации. Она подразумевает виртуальное разделение всей памяти на два сегмента — с тем, чтобы проводить операции чтения/записи в параллельном режиме. Благодаря данной инновации, а также целому ряду оптимизаций, Toshiba смогла достичь наивысшей производительности чипов при плотности интеграции 32 Mb.

Сообщается, что интегральные микросхемы со встроенными компонентами высокоскоростной DRAM, выпускаемыми по новой технологии Toshiba, найдут применение в мобильных телефонах и проекторах следующего поколения.

Источник: "Компьютерное обозрение"