Toshiba и Hynix будут сотрудничать в разработке стандарта памяти MRAM

Toshiba и Hynix будут сотрудничать в разработке стандарта памяти MRAMВ ближайшее время на рынке памяти будет продолжаться доминирование DRAM, однако некоторые производители уже задумывается о следующем шаге развития технологии хранения информации. Toshiba и Hynix подписали договор о сотрудничестве, согласно которому компании начнут совместные работы над новым стандартом MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory).

MRAM относится к энергонезависимой памяти, которая хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Такой подход более выгоден с точки зрения энергоэффективности, по сравнению с DRAM, поэтому новый тип памяти будет отлично подходить для использования в мобильных устройствах. Поскольку скорость также не будет слабой сторой MRAM, то со временем она может вытеснить DRAM и с десктопов. Впрочем, переход на новую технологию займет какое-то время, причем Toshiba и Hynix отказались называть конкретные сроки.

Технология MRAM находится в разработке уже около 20 лет однако передача спиновых моментов (spin transfer torque technology ) является относительно новым направлением. Многие компании уже пробовали создавать рабочие прототипы устройств с новым типом памяти, однако пока емкость таких плат памяти значительно ниже, чем у NAND. Например компания Infineon представила прототип чипа MRAM объемом всего 2 МБайта еще в 2004 году, и с тех пор емкости этих устройств повысились лишь незначительно.