Toshiba начинает производство флэш-чипов памяти e-MMC по нормам 24-нм техпроцесса

Компания Toshiba сообщила о начале использования 24-нанометрового технологического процесса для производства встраиваемых чипов флэш-памяти NAND, которые ориентированы на применение в составе широкого перечня устройств: планшетов, смартфонов, устройств для чтения электронных книг, цифровых камер, мультимедийных проигрывателей и принтеров.

Toshiba начинает производство флэш-чипов памяти e-MMC по нормам 24-нанометрового технологического процесса

Новая разработка позволяет производительность и емкость таких чипов памяти по сравнению с существующими решениями. Кроме того, за счет использования более тонкого технологического процесса появилась возможность создавать чипы памяти высокой емкости, обладающие меньшими размерами, что позволяет более рационально использовать поверхность печатной платы мобильных устройств. Отмечается, что новые устройства e-MMC toggle-mode DDR (double data rate) NAND соответствуют стандарту JEDEC e-MMC Version 4.41. Toshiba намерена наладить производство чипов памяти емкостью 2, 4, 8, 16, 32, 64 и 128 ГБ. Более подробные данные о таких устройствах доступны в таблице.

Емкость

Размеры упаковки

Доступность образцов

Массовое производство

2 ГБ 11,5х13,0х1,0 мм 4 квартал 2011 года 1 квартал 2012 года
4 ГБ 11,5х13,0х1,0 мм 3 квартал 2011 года 4 квартал 2011 года
8 ГБ 11,5х13,0х1,0 мм Уже доступны 3 квартал 2011 года
16 ГБ 12,0х16,0х1,2 мм Уже доступны 3 квартал 2011 года
32 ГБ 12,0х16,0х1,2 мм Уже доступны 3 квартал 2011 года
64 ГБ 14,0х18,0х1,2 мм Уже доступны 3 квартал 2011 года
128 ГБ 14,0х18,0х1,2 мм 3 квартал 2011 года 4 квартал 2011 года