Toshiba начинает производство флэш-памяти SLC NAND по 43 нм технологическому процессу

Корпорация Toshiba, выкупившая недавно 30% производственных мощностей SanDisk,  объявила о выпуске новой серии флэш-памяти NAND на основе технологии одноуровневых ячеек SLC (Single-Level Cell), емкость которых составляет от 512 Мб до 64 Гб. Три из входящих в новую линейку продуктов — плотностью 16, 32 и 64 Гб — состоят из монолитных 16-гигабитных чипов, изготовленных по 43-нанометровому техпроцессу. Разработчикам Toshiba удалось удвоить плотность записи по сравнению с чипами, производимыми по 56-нанометровым нормам, достигнув максимального ее значения на сегодняшний день среди памяти SLC.

Микросхемы SLC NAND способны быстро обрабатывать большие объемы данных и были разработаны для применения в устройствах, требующих высокой скорости чтения и записи — мобильных телефонах, ЖК-панелях, серверах. Скорость записи у SLC в 2.5 раза выше, чем у многоуровневых ячеек MLC (Multi-Level Cell).

В последние годы корпорация Toshiba занималась активным продвижением на рынок модулей флэш-памяти высокой емкости типа MLC NAND, которые использовались для карт памяти и mp3-плееров. Производство флэш-памяти типа SLC было ограничено технологическими нормами 56 и 70 нм. Расширяя производство SLC-памяти высокой плотности, Toshiba рассчитывает укрепить свои позиции в сегменте компонентов, предназначенных для высокопроизводительных приложений.

Новые устройства будут доступны на рынке в I квартале 2009 года.