Toshiba осваивает 40-нанометровый технологический процесс

Компания Toshiba сообщила об успешном освоении 40-нанометрового технологического процесса производства комплементарных металлооксидных полупроводниковых чипов.

Благодаря этому инженеры компании смогут создавать новые SOC (system-on-a-chip) решения для мобильных устройств, энергопотребление которых будет более чем в 2 раза меньше существующих ныне 65-нанометровых аналогов. Также существенно сократится тепловыделение и повысится их производительность. В результате этого можно будет создавать технику, которая будет дольше работать в автономном режиме даже при прежней емкости аккумуляторов.

Toshiba планирует начать внедрение новой 40-нанометровой технологии производства чипов в 1 квартале 2009 года, а начать массовое производство готовых решений, произведенных на ее основе, во 2 квартале 2009 года.

Об освоении 40-нанометрового технологического процесса производства видеочипов сообщила также компания AMD.