Новая карта памяти SanDisk microSD рекордного объема 400 ГБ стоит $250

66

Western Digital создала 64-слойную флэш-память 3D NAND X4 (BiCS3), способную хранить четыре бита в одной ячейке

17

Samsung наращивает производство чипов памяти HBM2 объёмом 8 ГБ

7

ADATA представила DDR4-модули памяти XPG SPECTRIX D40 RGB с поддержкой настраиваемой подсветки ASUS AURA Sync

19

ADATA представила SSD-накопитель S10 (PCIe Gen3x4 NVMe 1.2) с усиленным охлаждением и модуль памяти D10 DDR4 из новой геймерской линейки XPG GAMMIX

6

TrendForce: Средний объем ОЗУ в смартфонах 2017 модельного года составит 3,2 ГБ (на 33% больше, чем в прошлом году), а iPhone 8 не получит 4 ГБ ОЗУ

57

ADATA представила SD-карты памяти SLC Industrial (ISDD361) для использования в экстремальных условиях

8

Silicon Power увеличивает объем карт памяти Superior Pro SDXC UHS-I (U3) и Elite microSDXC UHS-I (U1) до 256 ГБ

6

SK Hynix анонсировала первую 72-слойную флэш-память 3D-NAND для нового поколения SSD

13

JEDEC анонсировала разработку памяти DDR5, которая будет вдвое быстрее нынешней DDR4

41

Ученые IBM создали «атомарный» жесткий диск

100

Micron выпустит память GDDR6 в конце этого года

32

У SK Hynix готовы первые в мире микросхемы мобильной памяти LPDDR4X DRAM объемом 8 ГБ

9

SD Association представила новый класс производительности «A1» для карт памяти SD, которые будут гарантированно работать с Android-приложениями

11

Samsung представила первые микросхемы памяти LPDDR4 DRAM объемом 8 ГБ, выпускаемые по технологии 10-нанометрового класса

22

3D NAND: прорыв памяти в трёхмерное пространство

24

SanDisk выпустила первую в мире карту SD объемом 1 ТБ (пока только в виде прототипа)

29

Устройства на модулях памяти HBM2 производства SK hynix станут доступны пользователям уже в этом году

4

«10 ТБ на квадратном сантиметре»: исследователи Делфтского технического университета разработали «атомарную» память

36

HyperX обновила линейки геймерской памяти Predator DDR4 и DDR3

26

Samsung показала 10-нм модуль памяти LPDDR4 DRAM объемом 6 ГБ, вероятно предназначенный для смартфона Galaxy Note 6

41

Специалисты IBM Research первыми создали память PCM, способную хранить три бита в одной ячейке

26

Samsung Electronics первой начинает выпуск 10-нанометровой памяти DRAM

67

Samsung выпускает первый встраиваемый накопитель объемом 256 ГБ, соответствующий спецификации UFS 2.0

71