Инженеры корпорации Intel и Калифорнийского университета в Санта-Барбара (University of California, Santa Barbara — USCB) сконструировал первый в мире Hybrid Silicon Laser с электронной накачкой, используя стандартный процесс производства полупроводников.
В ходе реализации совместного проекта его участникам удалось соединить светоизлучающие свойства фосфида индия с возможностями кремния по управлению светом в одном гибридном чипе. При приложении напряжения световое излучение, генерируемое фосфидом индия преобразуется в кремниевом волноводе в непрерывный лазерный луч, который можно использовать для приведения в действие других кремниевых фотонных устройств.
Главным достижением, сделавшим возможным объединение, стало использование низкотемпературной кислородной плазмы для создания тонкого оксидного слоя (толщиной примерно в 25 атомов) на поверхностях обоих материалов.
По заявлению разработчиков, совместимость со стандартным процессом массового производственна позволит значительно снизить цену лазеров и расширит применение фотоники в персональных компьютерах.
Контент сайту призначений для осіб віком від 21 року. Переглядаючи матеріали, ви підтверджуєте свою відповідність віковим обмеженням.
Cуб'єкт у сфері онлайн-медіа; ідентифікатор медіа - R40-06029.