Investigadores del Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea del Sur (KAIST) han desarrollado un nuevo tipo de memoria de cambio de fase que no presenta los inconvenientes de las iteraciones anteriores de esta tecnología.
La memoria de cambio de fase, abreviada PCM, funciona cambiando entre dos estados físicos: cristalizado (baja resistencia) y amorfo (alta resistencia). Combina de forma óptima las propiedades de la DRAM y la memoria flash NAND.
La DRAM es rápida, pero depende de la energía, lo que significa que los datos almacenados en ella se pierden cuando se corta la corriente. La NAND, que se utiliza en las SSD, puede retener los datos incluso cuando se corta la corriente, pero es más lenta que la DRAM.
La PCM es un tipo de memoria rápida y no volátil, pero su fabricación es tradicionalmente cara y consume mucha energía. Se necesita calor para fundir el material en fase amorfa, lo que dificulta la eficiencia energética. Los esfuerzos anteriores para solucionar el elevado consumo de energía se centraron en reducir el tamaño físico del dispositivo mediante técnicas litográficas avanzadas. Las mejoras eran nominales, y el aumento del coste y la complejidad asociados a la fabricación no estaban justificados.
El profesor Shinhyun Choi y su equipo han desarrollado un método para reducir sólo los componentes que intervienen directamente en el proceso de cambio de fase para crear un nanofilamento de cambio de fase. El nuevo método reduce el consumo de energía en un factor de 15 en comparación con la memoria de cambio de fase tradicional y, además, es mucho más barato de producir.
La nueva memoria conserva muchas de las características de la memoria tradicional, como la alta velocidad, la elevada relación encendido/apagado, las pequeñas variaciones y las propiedades de memoria multinivel.
Los investigadores esperan que sus hallazgos se conviertan en la base de la ingeniería electrónica del futuro. La investigación del equipo se publicó en la revista Nature a principios de abril.
Fuente: TechSpot