Компания Bridgelux сообщила о достижении существенного прогресса в процессе разработки твердотельных осветительных устройств, основанных на технологии GaN-on-Silicon LED. Так, был продемонстрирован прототип такого устройства, обеспечивающий световой поток 135 люмен на 1 Вт затраченной энергии. Для сравнения, традиционные лампы накаливания обеспечивают данный показатель на уровне 10-15 люмен/Вт.
Цветовая температура продемонстрированного источника света составляет 4730 К. Источником света, в данном случае, является светодиод (LED), работающий при следующих параметрах электрического тока: 2,9 В при 350 мА и менее 3,25 В при 1 А. Кроме низкого энергопотребления устройство также отличается и низким уровнем тепловыделения, что позволяет использовать его в широком перечне осветительных решений. При этом отмечается, что для производства таких LED осветителей могут использоваться существующие полупроводниковые производственные мощности. Кроме того, благодаря применению технологии GaN-on-Silicon LED и за счет отказа от некоторых дорогостоящих материалов удалось снизить себестоимость их производства на 75% по сравнению с существующими решениями.
В соответствии с озвученными планами, компания Bridgelux планирует начать производство твердотельных осветительных устройств на базе технологии GaN-on-Silicon LED в коммерческих масштабах на протяжении ближайших двух или трех лет.