Держись, Intel. Samsung удалось создать 3-нм кристалл памяти SRAM плотностью 256 Мбит с использованием транзисторов MBCFET

Об успехах в освоении следующего шага технологических норм (3 нм) и литографических технологий Samsung Foundry рассказала в рамках Международной конференции IEEE по твердотельным схемам (ISSCC) — там же был продемонстрирован прототип 3-нм кристалла памяти SRAM плотностью 256 Мбит с использованием транзисторов MBCFET.Помогаем Поможем собрать на медикаменты для защитников из «Легиона Свобода», которые воюют на востоке … Читать далее Держись, Intel. Samsung удалось создать 3-нм кристалл памяти SRAM плотностью 256 Мбит с использованием транзисторов MBCFET