Исследователи из компании IBM продемонстрировали новую многобитную память, выполненную на основе технологии изменения фазового состояния вещества (multi-bit phase-change memory). Ранее исследователям удавалось создавать лишь однобитную (single bit-per-cell) память PCM, которая обладала невысокой емкостью, а ее производство требовало больших затрат. Потому новая разработка IBM обеспечит увеличение емкости энергонезависимой памяти PCM и одновременное снижение стоимости ее производства.
Память на базе технологии изменения фазового состояния вещества обладает более высокими показателями производительности и надежности по сравнению с используемой в настоящее время флэш-памятью NAND. Так, память PCM способна выдерживать около 10 млн циклов записи. Напомним, современная флэш-память MLC NAND потребительского класса, выполненная по нормам 25-нанометрового технологического процесса, обладает ресурсом около 3 тыс циклов записи. В то же время тестовый чип памяти multi-bit PCM, произведенный на базе 90-нанометровой CMOS технологии, обеспечивает задержки при записи данных на уровне 10 микросекунд, что, приблизительно, в 100 раз превосходит показатели современных наилучших флэш-чипов памяти.
По предварительным прогнозам разработчикам, для усовершенствования технологии памяти PCM для начала ее коммерческой эксплуатации может потребоваться еще около пяти лет.