Новости Новости 28.08.2013 в 16:31 comment

Intel покажет как можно разгонять SSD на IDF 2013

author avatar
https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg

Володимир Скрипін

Ексзаступник головного редактора

nand-flash-die

В ходе мероприятия IDF 2013, которое откроет свои двери уже 10 сентября, компания Intel пообещала продемонстрировать методы разгона SSD. К сожалению, Intel пока не сообщает подробностей, но теоретически это возможно. 

Твердотельные накопители основаны на базе флеш-памяти типа NAND, производительность которой, как и производительность чипов оперативной памяти, процессоров и графических ускорителей, определяется такими факторами как тактовая частота и тайминги. Чипы NAND, из которых состоят SSD, не являются быстрыми или медленными, — это просто массив ячеек памяти. За скорость записи или чтения информации в или из данных ячеек отвечает контроллер. Как и другие компоненты ПК, которые поддаются разгону, некоторые из этих чипов NAND могут оперировать более высокими скоростями и агрессивными таймингами.

В теории, можно модифицировать прошивку контроллера и заставить флеш-память работать на более высокой частоте и при более высоких напряжениях.

myce-intel-ssd

Журналистам ресурса Myce удалось обнаружить прямые доказательства данного заявления относительно существования возможности разгона SSD в исходном коде ПО Intel Extreme Tuning Utility (Intel XTU). Некоторые строчки в коде проливают свет на планы процессорного гиганта. Первая строчка (изображение выше) указывает на то, что пользователи получат возможность самостоятельно устанавливать частоту работы контроллера в МГц. В описании говорится: «Установка частоты микроконтроллера в определенных SSD производства Intel, которая может увеличить производительность накопителя». Вторая строчка свидетельствует о трех режимах питания SSD: «ограниченный», «обычный» и «неограниченный». Строчка внизу в свою очередь указывает на то, что пользователи также получат возможность устанавливать частоту шины памяти NAND в пределах от 83 МГц до 100 МГц. Здесь, как и в первом случае, есть описание: «Установка частоты шины памяти в определенных SSD производства Intel».

Интересно то, что в обоих случаях есть уточнение об определенных накопителях производства Intel.

Данная возможность может вызвать интерес у энтузиастов, которые готовы пожертвовать стабильностью работы накопителя в обмен на прирост производительности. Однако предстоит еще выслушать Intel, вполне возможно, что специалисты компании научились разгонять SSD не сокращая при этом срок службы накопителей.


Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: