Организация JEDEC Solid State Technology Association объявила о завершении разработки стандарта памяти DDR3 (Double Data Rate 3) Synchronous DRAM, разместив его спецификации на своем веб-сайте.
Стандарт DDR3 предусматривает выпуск модулей памяти с производительностью от 800 до 1600 MT/s (миллионов транзакций в секунду), плотностью от 512 Mb до 8 Gb в монолитных и стекируемых корпусах. Он позволяет кардинально улучшить пропускную способность оперативной памяти при значительном снижении потребляемой ею мощности по сравнению с технологиями предыдущего поколения — SDR, DDR1 и DDR2.
В числе ключевых преимуществ DDR3 — уменьшение напряжения питания до 1,5 В (у DDR2 — 1,8 В, у DDR — 2,5 В), расширение диапазона рабочих температур, реализация динамической внутрикристальной терминации (Dynamic On-Die Termination) и выравнивания записи (Write Leveling), а также ряд других технологических и функциональных новшеств.
Помимо базовых спецификаций DDR3, JEDEC представит детализированные описания типов модулей памяти на основе данного стандарта — Registered DIMM, Unbuffered DIMM, SO-DIMM и прочих вариантов конфигураций, предназначенных для применения в настольных, мобильных и серверных системах, телекоммуникационных устройствах, POS-терминалах и прочих электронных продуктах.
Кроме того, с целью ускорить внедрение нового стандарта с 3 по 4 октября 2007 года в Сан-Хосе (США) под эгидой JEDEC пройдет конференция DDR3 Technical Workshop, в которой примут участие крупнейшие производители DRAM и наборов системной логики.