Компания OCZ официально представила новый контроллер для твердотельных накопителей, получивший название Indilinx Everest. Согласно сообщения OCZ, одноименная платформа, основанная на контроллере Indilinx Everest, позволит создавать высокопроизводительные твердотельные накопители емкостью до 1 ТБ.
Представленный контроллер основан на 2-ядерном процессоре ARM. Он способен использовать до 512 МБ кэш-памяти стандарта DDR3 с частотой до 400 МГц. Новинка поддерживает работу одноуровневой (single-level cell), двухуровневой (multi-level cell) и трехуровневой (triple-level cell) флэш-памяти NAND, которая может изготавливаться по нормам 1x-нанометровых технологических процессов. Устройство поддерживает 8-канальную архитектуру доступа к флэш-чипам памяти на базе стандартов ONFI 2.0/Toggle 1.0. Отмечается, что контроллер Indilinx Everest способен обеспечивать скорость последовательного чтения до 500 МБ/с. Среди прочих возможностей отмечаются реализация TRIM, SMART, NCQ (глубина очереди 32 команды), Garbage Collection, защита от прекращения подачи энергии, оптимизации времени загрузки. Устройство обладает поддержкой интерфейса подключения SATA3 (скорость передачи данных до 6 Гб/с).
Платформа Indilinx Everest в настоящее время доступна для тестирования и проверки OEM производителям конечных устройств. Однако информация о сроках появления на рынке готовых твердотельных накопителей на ее основе пока не сообщается.