Группа исследователей из Университета Калифорнии (University of California) продемонстрировала прототип устройства для хранения данных на базе твердотельной памяти, который основан на принципе фазового перехода. Такой накопитель получил название Moneta.
В новинке применяется память PCM (phase-change memory), которая обеспечивает возможность хранения данных, основываясь на способности халькогенида переключаться между двумя состояниями (кристаллическим и аморфным) при определенном тепловом воздействии, генерируемом электрическим током. Для чтения данных (определения текущего состояни халькогенида) используется ток меньшей величины. Отмечается, что память на основе фазового перехода обладает высокой производительностью, которая в несколько раз превышает производительность современных твердотельных накопителей высокого уровня.
В накопителе Moneta применяются чипы памяти PCM первого поколения производства Micron. Устройство способно считывать данные на скорости до 1,1 ГБ/с, а максимальная скорость записи данных составляет 371 МБ/с. При осуществлении операций с блоками по 512 КБ максимальная скорость чтения составляет 327 МБ/с, максимальная скорость записи — 91 МБ/с. При этом новинка обладает меньшими задержками, чем современные твердотельные накопители. Кроме того, она потребляет меньше энергии.
Разработчики планируют создать накопитель Moneta второго поколения на базе памяти PCM на протяжении ближайших 6-9 месяцев. Отмечается, что коммерческая эксплуатация технологии PCM может начаться в ближайшие годы.