Группа исследователей из Токийского университета (University of Tokyo) под руководством профессора Кена Такеучи (Ken Takeuchi) разработали новую технологию, которая позволяет снизить уровень энергопотребления твердотельных накопителей на основе флеш-памяти NAND и в то же время может существенно повысить их скоростные показатели работы.
Предлагается для создания флеш-чипов использовать ферроэлектрическую память NAND, в которой применяются ферроэлектрические материалы (ферроэлектрические затворы диэлектрической оболочки и металлические затворы для ячеек памяти). В результате рабочее напряжение питания таких чипов составляет всего 1 В, в то время как для традиционных флеш-чипов памяти NAND напряжение питания составляет 3 В. При этом отмечается, что при осуществлении операций записи напряжение питания в обычной флеш-памяти повышается до 20 В, в то время как в ферроэлектрической памяти NAND — до 6 В. Таким образом, энергопотребление и тепловыделение твердотельных накопителей на базе новых флеш-чипов может быть существенно снижено без ухудшения параметров работы устройств.
Также отмечается, что за счет применения ферроэлектрической памяти NAND можно добиться значительного повышения скорости записи накопителей. Это достигается в результате того, что из-за снижения рабочего напряжения появляется возможность обеспечения одновременной параллельной записи в 110 различных чипах NAND (при нынешней технологии одновременная запись возможна лишь в 16 чипах) без превышения допустимых параметров энергопотребления. Таким образом, скорость записи твердотельных накопителей может быть повышена до 9,5 ГБ/с.
О сроках внедрения технологии производства ферроэлектрической памяти NAND пока не сообщается.