Компания Samsung в 2013 году первой приступила к выпуску памяти 3D NAND под названием V-NAND, опередив своих конкурентов. Компания начала с 24-слойных чипов и постепенно наращивала количество слоёв. Сейчас Samsung подготовила к выпуску 176-слойные чипы V-NAND, а в перспективе говорит о возможности появления многослойных чипов с более чем 1000 слоёв.
Samsung намерена начать производство потребительских твердотельных накопителей на базе памяти V-NAND седьмого поколения, которая включает 176 слоев. По словам компании, такие чипы имеют самые маленькие в отрасли ячейки памяти NAND. Интерфейс этой новой флэш-памяти обладает скоростью передачи данных 2000 МТ/с, что позволяет Samsung создавать сверхбыстрые твердотельные накопители с интерфейсами PCIe 4.0 и PCIe 5.0. В накопителях будет использоваться совершенно новый контроллер, «оптимизированный для многозадачности огромных рабочих нагрузок». Со временем Samsung представит твердотельные накопители для центров обработки данных на базе 176-слойной памяти V-NAND. Логично ожидать, что новые устройства будут иметь повышенную производительность и большую емкость.
Одновременно с подготовкой массового производства 176-слойных чипов V-NAND компания Samsung уже приступила к созданию первых образцов памяти V-NAND уже восьмого поколения, которые могут содержать более 200 слоёв. Samsung заявляет, что начнёт производство этой новой памяти, исходя из рыночного спроса. Компании обычно представляют новые типы памяти NAND каждые 12–18 месяцев.
Источник: tomshardware