На фоне усиления конкуренции с Intel компания Samsung Foundry решила провести ребрендинг своей технологии производства второго поколения 3-нм класса, ранее известной как SF3. Будущий узел был переименован в SF2, чтобы обозначить производственный процесс класса 2 нм. Об этом сообщают осведомленные источники. Однако Samsung Foundry еще официально не подтвердила это переименование.
Источник утверждает, что в прошлом году Samsung Electronics подписала контракт с Samsung Foundry на 3-нм производство 2-го поколения. Но впоследствии контракт был пересмотрен, чтобы отразить изменения в наименовании техпроцесса. Эти изменения, вроде бы, произошли в начале этого года.
Отмечается, что переименование является частью планов Samsung по упрощению номенклатуры процессов. Но, вероятно, оно также поможет южнокорейскому гиганту лучше конкурировать с Intel Foundry, чей 2-нм производственный узел под названием Intel 20A, как ожидается, появится позже в этом году.
Samsung объявила о своей дорожной карте технологических процессов еще в 2022 году, перечислив ряд узлов, которые будут развернуты до 2027 года. Согласно дорожной карте, она будет нацелена на массовое производство 2-нм техпроцесса (SF2P) до 2025 года и 1,4-нм (SF1.4) до 2027 года. Компания также заявила, что планирует увеличить свои производственные мощности для передовых узлов более чем в 3 раза до 2027 года.
Однако в начале этого года Samsung уведомила своих клиентов об изменениях в своей дорожной карте и переименовании процесса SF3 в SF2. В настоящее время нет информации о том, есть ли какие-то реальные изменения в архитектуре нового узла, кроме ребрендинга. То есть клиенты, скорее всего, получат ту же технологию, что предлагал прежний узел SF3.
Ожидается, что Samsung выпустит свой новый процесс SF2 во второй половине этого года. Из того, что известно сейчас, SF2 использует транзисторы Gate-all-around (GAA) или Multi-Bridge-Channel Field Effect Transistors (MBCFET), но не имеет технологии питания чипа на обратной стороне (BSPDN), в отличие от Intel 20A. BSPDN вроде бы улучшает производительность транзистора, снижает энергопотребление, увеличивает плотность логических транзисторов и устраняет помехи между цепями данных и питания, что потенциально дает Intel 20A значительное преимущество. Samsung все еще разрабатывает такую технологию.
Источник: techspot