Сейчас в основном применяется либо SDR NAND флэш-память с интерфейсом 40 Мбит/с, либо отвечающая спецификации DDR 1.0 с пропускной способностью интерфейса до 133 Мбит/с, но при этом используется архитектура SDR (Single Data Rate). В новой технологии, предложенной Samsung и Toshiba, пропускная способность интерфейса составляет 400 Мбит/с.
Чипы флэш-памяти следующего поколения могут быть применены в любых областях, где сейчас используются традиционные решения: портативной и бытовой технике, SSD-накопителях, комплексных корпоративных решениях и т. д. Новая технология уже начала проходить процесс стандартизации в организации JEDEC Solid State Technology Association. Обе компании планируют приложить максимум усилий для скорейшего внедрения NAND флэш-памяти стандарта DDR2. Из альтернативных решений можно отметить флэш-память с архитектурой Hydra, но о сроках ее коммерческого внедрения пока ничего не известно.