Компания Samsung сообщила о выпуске первого высокоемкого твердотельного накопителя, использующего в своей конструкции флеш-чипы DDR (double data rate — удвоенная скорость передачи данных) NAND. Особенностью флеш-чипов DDR NAND является более высокая скорость передачи данных — на уровне 133 Мб/с, в то время как у традиционных флеш-чипов MLC NAND этот показатель находится на уровне 40 Мб/с.
Новинка выполнена в формфакторе 2,5 дюйма и предназначена для применения в высокопроизводительных компьютерах и ноутбуках. Такое устройство содержат 30-нанометровые флеш-чипы DDR NAND емкостью 32 Гб каждый, производство которых было освоено в конце прошлого года. При этом емкость накопителя может составлять 64, 128, 256 или 512 ГБ. Также отмечается, что при производстве данного накопителя применяются собственные контроллеры Samsung, а также прошивка собственной разработки. Новинка поддерживает максимальную скорость чтения на уровне 250 МБ/с и скорость записи — 220 МБ/с. Для подключения к системе применяется интерфейс SATA2 (скорость передачи данных до 3 Гб/с). Представленное устройство поддерживает функцию аппаратного 256-битного AES шифрования и команду TRIM в операционной системе Windows 7.
Ожидается, что массовое производство твердотельных накопителей на базе флеш-чипов DDR NAND начнется в следующем месяце, после чего они поступят в продажу. Уровень цен таких устройств пока не сообщается.