Обе новинки были сертифицированы в рамках программы Intel Platform Validation для использования с мобильными чипсетами серии Intel GM45. Сообщается, что переход на уровень 40 нм позволит сократить время вывода продукта на рынок в 2 раза – до одного года. По сравнению с прежним поколением (50 нм), также обеспечивается рост энергопотребления на 30% и повышение эффективности производства на 60%.
Samsung планирует применить 40-нанометровый техпроцесс для изготовления чипов DDR3 емкостью 2 Гб, массовое производство которых начнется в конце 2009 года. Кроме того, компания расценивает новое достижение как существенный шаг навстречу разработке высокоскоростной памяти DDR4.
Контент сайту призначений для осіб віком від 21 року. Переглядаючи матеріали, ви підтверджуєте свою відповідність віковим обмеженням.
Cуб'єкт у сфері онлайн-медіа; ідентифікатор медіа - R40-06029.